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CSD16409Q3相关型号
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图片仅供参考，请参考产品描述

  • CSD16409Q3

  • 制造商：Texas Instruments
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，CSD16409Q3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:Texas Instruments
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:VSON-Clip-8
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:25 V
  • Id-连续漏极电流:100 A
  • Rds On-漏源导通电阻:9.5 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:16 V
  • Qg-栅极电荷:4 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:2.6 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:NexFET
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 高度:1 mm
  • 长度:3.3 mm
  • 系列:CSD16409Q3
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 宽度:3.3 mm
  • 商标:Texas Instruments
  • 正向跨导 - 最小值:38 S
  • 下降时间:3.4 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:10.6 ns
  • 工厂包装数量:2500
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:6.3 ns
  • 典型接通延迟时间:6.5 ns
  • 单位重量:41.800 mg

其它信息

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